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證券日報網(wǎng)訊4月17日，時代電氣（688187）在互動平臺回答投資者提問時表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能，株洲8英寸SiC產(chǎn)線已于2025年底拉通，進入爬產(chǎn)階段。當前SiC第三代精細平面柵產(chǎn)品已實現(xiàn)批量交付，技術(shù)水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵2025年已完成定型，達行業(yè)先進水平；第五代SiC技術(shù)預計將于2026年完成布局。目前SiC重點產(chǎn)品包括3300VSiC MOSFET、1200VSiC MOSFET，1200V SBD等，其中1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，可廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)（885311）、新能源汽車（885431）、新能源發(fā)電（884150）等領(lǐng)域。公司SiC SBD產(chǎn)品在光伏領(lǐng)域穩(wěn)定批量供貨，SiC MOSFET產(chǎn)品在汽車主驅(qū)、OBC、電源檢測等領(lǐng)域批量供貨，交付量持續(xù)攀升。