證券日?qǐng)?bào)網(wǎng)訊 4月17日,時(shí)代電氣(688187)在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問時(shí)表示,在半導(dǎo)體(881121)領(lǐng)域,公司從1964年開始功率半導(dǎo)體(881121)技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,通過持續(xù)投入和平臺(tái)提升,已成長(zhǎng)為同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGBT、IGCT、SiC器件及其組件技術(shù)的IDM模式企業(yè)代表,擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈,并建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和8英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化基地。公司生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品覆蓋650V-6500V全電壓等級(jí)。
