國盛證券（002670）發(fā)布研報稱，在AI服務(wù)器功率密度持續(xù)提升(單芯片700W→1000W+)背景下，熱阻結(jié)構(gòu)發(fā)生變化：冷板能力持續(xù)增強(qiáng)，而界面接觸不充分導(dǎo)致的熱阻占比顯著提升。TIM（TIMB）正在從低價值輔材升級為影響散熱效率上限的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。隨著AI算力持續(xù)擴(kuò)張，TIM（TIMB）有望成為液冷產(chǎn)業(yè)鏈中兼具高頻耗材屬性與技術(shù)升級彈性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
國盛證券（002670）主要觀點如下：
事件：近期液冷材料側(cè)出現(xiàn)邊際變化：1)2026年2月，Akash Systems向印度云廠商N(yùn)xtGen交付全球首批采用金剛石散熱技術(shù)的NVIDIA H200服務(wù)器，可降低GPU熱點溫度約10攝氏度；2)Indium Corporation披露，隨著AI GPU/ASIC功耗提升至800W+，液態(tài)金屬TIM（TIMB）在裸die芯片中加速驗證并進(jìn)入工程導(dǎo)入階段(公司技術(shù)白皮書)。
TIM是什么？——從“填縫材料”到“熱阻核心”
TIM（TIMB）是填充微觀空隙的導(dǎo)熱材料，核心作用是降低界面接觸熱阻(空氣等)。在AI服務(wù)器功率密度持續(xù)提升(單芯片700W→1000W+)背景下，熱阻結(jié)構(gòu)發(fā)生變化：冷板能力持續(xù)增強(qiáng)，而界面接觸不充分導(dǎo)致的熱阻占比顯著提升。TIM（TIMB）正在從低價值輔材升級為影響散熱效率上限的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。
TIM為何迎來升級？——功率密度驅(qū)動工程路徑演進(jìn)
TIM（TIMB）的演進(jìn)是伴隨芯片功率密度提升的必然趨勢：傳統(tǒng)硅脂(3–10 W/mK)導(dǎo)熱性能有限，液態(tài)金屬(20–80 W/mK)憑借更高導(dǎo)熱性能與優(yōu)異潤濕性，可顯著降低界面熱阻，提高散熱效率。受限于腐蝕、可靠性與封裝工藝，仍處導(dǎo)入初期。此外，市場關(guān)注的金剛石散熱材料，本質(zhì)更偏向熱擴(kuò)散層(heat spreader)，用于降低熱點熱流密度，與TIM（TIMB）材料共同作用于提升散熱效率，并非替代關(guān)系。
技術(shù)進(jìn)展如何？——ASIC與Nvidia共發(fā)力
從產(chǎn)業(yè)節(jié)奏看，TIM（TIMB）材料革新正處于“驗證→導(dǎo)入”的階段。GPU側(cè)，NVIDIA當(dāng)前以高端硅脂為主，下一代平臺開始探索更高性能TIM（TIMB）方案；ASIC側(cè)，Google TPU、Amazon Trainium等自研芯片功率也進(jìn)一步提升，同時進(jìn)行液態(tài)金屬TIM（TIMB）材料的相關(guān)配套研發(fā)。
從材料分工看，路徑逐漸清晰：液態(tài)金屬解決“界面接觸熱阻”問題，是TIM（TIMB）現(xiàn)實升級方向；金剛石解決“熱點擴(kuò)散”問題，更偏封裝內(nèi)部材料。
標(biāo)的方面
建議重點關(guān)注具備金屬TIM（TIMB）技術(shù)儲備的頭部企業(yè)如霍尼韋爾（HON）(HON.US)(材料龍頭)、 MMM(3M（MMM）.US)(可靠性TIM（TIMB）)、國內(nèi)公司如科創(chuàng)新源（300731）(300731.SZ)(高分子材料平臺)等。
風(fēng)險提示
算力進(jìn)展不及預(yù)期、AI發(fā)展不及預(yù)期、技術(shù)創(chuàng)新風(fēng)險。
