中郵證券有限責任公司吳文吉,翟一夢近期對北方華創(chuàng)（002371）進行研究并發(fā)布了研究報告《國產(chǎn)替代持續(xù)加速，平臺化發(fā)展效果顯著》，給予北方華創(chuàng)買入評級。

　　北方華創(chuàng)

　　投資要點

　　預(yù)計中國大陸2026至2028年間設(shè)備支出將達940億美元。

　　受益于晶圓廠區(qū)域化趨勢以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備中AI芯片需求激增，SEMI預(yù)計2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將首次超過1,000億美元，增長7%至1,070億美元；2026年將增長9%，達到1,160億美元；2027年增長4%，達到1,200億美元；2028年將增長15%，達到1,380億美元；其中中國大陸預(yù)計將繼續(xù)領(lǐng)先全球300mm設(shè)備支出，2026至2028年間投資總額將達940億美元。全球分領(lǐng)域看，Logic和Micro領(lǐng)域預(yù)計將在2026至2028年間以1,750億美元的設(shè)備投資總額領(lǐng)先；Memory領(lǐng)域預(yù)計將在三年間以1,360億美元的支出位居第二；Analog相關(guān)領(lǐng)域預(yù)計將在未來三年內(nèi)投資超過410億美元；包括化合物半導體在內(nèi)的功率相關(guān)領(lǐng)域預(yù)計將在未來三年間投資270億美元。

　　晶體管從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向3D立體結(jié)構(gòu)，以及背面供電的發(fā)展，推動半導體設(shè)備需求。鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)自引入以來，已經(jīng)成為20nm以下制程的標準技術(shù)。隨著制程技術(shù)縮小到5nm及以下，F(xiàn)inFET的短溝道效應(yīng)加劇，導致制程在進一步微縮時面臨嚴重瓶頸。全環(huán)繞柵極(GAA)被認為是解決FinFET技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵，預(yù)計從2nm節(jié)點開始，所有先進芯片設(shè)計將全面采用GAA技術(shù)。環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管(GAAFET)和互補場效應(yīng)晶體管(CFET)將顯著增加光刻之后制造步驟的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。具體來看，新型晶體管設(shè)計的核心在于“包裹”柵極結(jié)構(gòu)(GAAFET)或堆疊晶體管組(CFET)。這種三維結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性對精確刻蝕、薄膜等提出了更高要求。根據(jù)IMM信息的數(shù)據(jù)，刻蝕設(shè)備在先進制程中的用量占比將從傳統(tǒng)FinFET時代的20%上升至GAA架構(gòu)下的35%，單臺設(shè)備價值量同比增長12%。薄膜沉積設(shè)備則需要在復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)上原子級均勻地沉積多層薄膜。隨著芯片工藝的不斷縮小，互連技術(shù)的挑戰(zhàn)逐漸超越了晶體管本身的縮小難度。互連層數(shù)量的增加、布線設(shè)計復(fù)雜度的提升以及導線電阻問題，極大限制了性能的提升和功耗的優(yōu)化。為了解決這些問題，背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)被提出，背面供電實際應(yīng)用面臨晶圓減薄、鍵合、光刻對準、應(yīng)力管理和熱管理等諸多挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)不僅涉及新設(shè)備的開發(fā)，還需要對現(xiàn)有制造流程和設(shè)計工具進行徹底改造。

　　全球內(nèi)存技術(shù)多賽道并行迭代，刻蝕、薄膜設(shè)備等需求大漲。

　　當前全球內(nèi)存技術(shù)正處于“多賽道并行迭代”的關(guān)鍵階段，AI算力需求與終端設(shè)備升級為核心驅(qū)動力。從HBM以3D堆疊技術(shù)突破帶寬瓶頸、成為AI芯片標配，到CXL通過架構(gòu)重構(gòu)破解“內(nèi)存墻”、推動數(shù)據(jù)中心內(nèi)存池化；從HBF以NAND閃存特性填補性能

　　圖形/AI推理優(yōu)化——技術(shù)創(chuàng)新已呈現(xiàn)“場景化細分”特征。頭部廠商的戰(zhàn)略布局也在進一步加劇競爭，未來，隨著JEDEC標準持續(xù)完善(如HBM4、LPDDR6)與生態(tài)協(xié)同深化，內(nèi)存技術(shù)將更緊密貼合AI、數(shù)據(jù)中心、智能終端的需求，同時推動全球存儲產(chǎn)業(yè)格局向“技術(shù)驅(qū)動型”加速演進。隨著3D堆疊存儲的發(fā)展，對刻蝕設(shè)備的需求和性能要求呈指數(shù)級增長，同時對每層薄膜厚度的要求更嚴苛，ALD與CVD協(xié)同工藝成為主流。根據(jù)SEMI，Memory預(yù)計將在三年間以1,360億美元的支出位居第二，其中，DRAM相關(guān)設(shè)備投資預(yù)計超過790億美元，3D NAND投資將達到560億美元。

　　平臺型領(lǐng)軍廠商持續(xù)受益于下游擴產(chǎn)與國產(chǎn)替代進程，股權(quán)激勵彰顯信心。中國的集成電路和泛半導體產(chǎn)業(yè)近年來持續(xù)興旺。在政府的大力推動和業(yè)界的努力下，在半導體設(shè)備的門類、性能和大規(guī)模量產(chǎn)能力等方面，國產(chǎn)設(shè)備和國外設(shè)備相比正在快速縮小差距，發(fā)展迅速并已初具規(guī)模，中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模在全球的占比逐年提升。根據(jù)Yole，中國大陸有望在2030年成為全球最大的半導體晶圓代工中心，預(yù)計占全球總裝機產(chǎn)能比例將由2024年的21%提升至30%。公司作為國內(nèi)半導體設(shè)備平臺型領(lǐng)軍廠商，產(chǎn)品覆蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗、涂膠顯影、離子注入等多個核心工藝環(huán)節(jié)，工藝覆蓋度完善，國內(nèi)份額持續(xù)提升，將持續(xù)受益于下游擴產(chǎn)與國產(chǎn)替代進程。11月22日，公司披露2025年股票期權(quán)激勵計劃(草案)，有助于促進公司中長期激勵機制的健全與完善，提升人才吸引力與團隊穩(wěn)定性。公司擬向激勵對象授予10,465,975份股票期權(quán)，約占本激勵計劃草案公告時公司股本總額的1.4446%，激勵對象共計2,306人，其中，公司董事、高級管理人員7人，核心技術(shù)人才及管理骨干2,299人，假設(shè)公司2025年11月末授予股票期權(quán)，2025年-2030年期權(quán)成本需攤銷的總費用約21億。

　　投資建議

　　我們預(yù)計公司2025/2026/2027年分別實現(xiàn)收入398/503/613億元，歸母凈利潤61/84/111億元，維持“買入”評級。

　　風險提示

　　人力資源風險，供應(yīng)鏈風險，技術(shù)更新風險，市場需求波動風險，并購整合風險。

　　最新盈利預(yù)測明細如下：

　　該股最近90天內(nèi)共有27家機構(gòu)給出評級，買入評級25家，增持評級2家；過去90天內(nèi)機構(gòu)目標均價為512.93。